一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法

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	一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法
	朱效立; 史丽娜; 李冬梅; 刘明; 谢常青; 李海亮
	2014-11-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110279269.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法。该方法包括：在双面抛光的硅基衬底的背面制备氮化硅自支撑薄膜窗口；在硅基衬底正面的氮化硅薄膜上旋涂电子束抗蚀剂HSQ；对该HSQ进行电子束直写曝光，形成光栅线条和包围该光栅线条的圆环，并显影后定影得到光栅线条图形和圆环图形；在该硅基衬底的正面磁控溅射沉积铬材料，作为光栅线条图形和圆环图形周边的挡光层；去除圆环图形内的铬材料，仅保留圆环图形外的材料铬，作为吸收杂散光的吸收体；在硅基衬底的正面采用原子层沉积技术生长金材料；以及去除该圆环图形外的铬材料之上、光栅线条图形之间以及光栅线条图形之上沉积的金材料，仅保留光栅线条图形侧墙的金材料。
公开日期	2013-04-03
申请日期	2011-09-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14803]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱效立,史丽娜,李冬梅,等. 一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法. CN201110279269.4. 2014-11-12.