一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 | |
朱效立![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2014-11-12 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110279269.4 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法。该方法包括:在双面抛光的硅基衬底的背面制备氮化硅自支撑薄膜窗口;在硅基衬底正面的氮化硅薄膜上旋涂电子束抗蚀剂HSQ;对该HSQ进行电子束直写曝光,形成光栅线条和包围该光栅线条的圆环,并显影后定影得到光栅线条图形和圆环图形;在该硅基衬底的正面磁控溅射沉积铬材料,作为光栅线条图形和圆环图形周边的挡光层;去除圆环图形内的铬材料,仅保留圆环图形外的材料铬,作为吸收杂散光的吸收体;在硅基衬底的正面采用原子层沉积技术生长金材料;以及去除该圆环图形外的铬材料之上、光栅线条图形之间以及光栅线条图形之上沉积的金材料,仅保留光栅线条图形侧墙的金材料。 |
公开日期 | 2013-04-03 |
申请日期 | 2011-09-20 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14803] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱效立,史丽娜,李冬梅,等. 一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法. CN201110279269.4. 2014-11-12. |
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