集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法 | |
牛洁斌![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2013-11-27 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110066088.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及微电子技术领域,具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法,该方法包括:在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后,沉积金属层间介质层;之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开,形成与钨栓塞部分错开的孔洞,露出一部分钨栓塞;随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜,最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸,且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置,增强器件的均一性。 |
公开日期 | 2012-09-19 |
申请日期 | 2011-03-18 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14783] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛洁斌,吕杭炳,刘明,等. 集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法. CN201110066088.3. 2013-11-27. |
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