集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法

	集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法
	牛洁斌; 吕杭炳; 刘明; 龙世兵; 刘琦; 王艳花
	2013-11-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110066088.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错开的孔洞，露出一部分钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸，且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置，增强器件的均一性。
公开日期	2012-09-19
申请日期	2011-03-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14783]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	牛洁斌,吕杭炳,刘明,等. 集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法. CN201110066088.3. 2013-11-27.