多功能存储单元、阵列及其制造方法

	多功能存储单元、阵列及其制造方法
	许中广; 霍宗亮; 谢常青; 龙世兵; 张满红; 李冬梅; 王琴; 刘璟; 朱晨昕; 刘明
	2015-06-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110122303.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明实施例公开了一种多功能存储单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器。通过将电荷俘获式存储器和阻变存储器集成在一个存储单元中，可以根据不同的应用环境实现CTM或RRAM两种不同的存储方式，通过制造该存储单元便能提供具有CTM和RRAM两种功能的存储器件，大大降低了存储器产品的制造成本。
公开日期	2012-11-14
申请日期	2011-05-12
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14777]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	许中广,霍宗亮,谢常青,等. 多功能存储单元、阵列及其制造方法. CN201110122303.7. 2015-06-10.