一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法

	一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法
	李海亮; 谢常青; 牛洁斌; 朱效立; 史丽娜; 刘明
	2013-08-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110061444.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。
公开日期	2012-09-19
申请日期	2011-03-15
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14731]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李海亮,谢常青,牛洁斌,等. 一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法. CN201110061444.2. 2013-08-07.