一种存储器读出电路
王琴; 柳江; 刘明
2013-09-11
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN200910244518.9
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种存储器读出电路,包括偏置电路、预充电路、译码电路、存储阵列、钳位电路、第一晶体管、第二晶体管、比较器、电流倍增电路、电流参考电路和电流源电路;其中,偏置电路与电流源电路串联,译码电路与存储阵列串联后与所述预充电路并联形成第一节点,钳位电路与第一晶体管串联后连接到第一节点;电流参考电路与第二晶体管并联形成第二节点;电流倍增电路的输入端连接于第一晶体管和第二晶体管的栅极,输出端连接于比较器的输入端。利用本发明,解决了传统读出电路中钳位管限制预充电流的瓶颈,加快了预充速度,实现了低电源电压下高速、低损耗预充的目的,提高了低阈值窗口下的感应速度。

公开日期2011-07-06
申请日期2009-12-30
语种中文
内容类型专利
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/14727]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王琴,柳江,刘明. 一种存储器读出电路. CN200910244518.9. 2013-09-11.
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