一种降低存储器读干扰的电路及方法

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	一种降低存储器读干扰的电路及方法
	刘明; 王琴; 柳江
	2013-11-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010162241.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术，将传统存储块划分成块和子块，在编程和擦除时，存储器对整个块进行编程和擦除操作；在读取时，存储器仅对选中的子块进行读取操作，存储器在读取操作时，读取电压仅加载在选中子块的字线上，而未选中子块的字线电压为零，这样就能使读取操作带来的干扰降低到最小，提高存储数据的保持特性。利用本发明，可使存储器在存储密度不变的情况下，数倍的增加数据保持特性，提高存储器的可靠性；或者在数据保持特性不变的情况下，提高存储器的存储密度，降低单比特存储容量的成本。
公开日期	2011-11-09
申请日期	2010-04-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14721]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,王琴,柳江. 一种降低存储器读干扰的电路及方法. CN201010162241.8. 2013-11-06.