一种降低存储器读干扰的电路及方法 | |
刘明![]() ![]() ![]() | |
2013-11-06 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201010162241.8 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术,将传统存储块划分成块和子块,在编程和擦除时,存储器对整个块进行编程和擦除操作;在读取时,存储器仅对选中的子块进行读取操作,存储器在读取操作时,读取电压仅加载在选中子块的字线上,而未选中子块的字线电压为零,这样就能使读取操作带来的干扰降低到最小,提高存储数据的保持特性。利用本发明,可使存储器在存储密度不变的情况下,数倍的增加数据保持特性,提高存储器的可靠性;或者在数据保持特性不变的情况下,提高存储器的存储密度,降低单比特存储容量的成本。 |
公开日期 | 2011-11-09 |
申请日期 | 2010-04-28 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14721] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,王琴,柳江. 一种降低存储器读干扰的电路及方法. CN201010162241.8. 2013-11-06. |
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