一种大高宽比衍射光学元件的制作方法

	一种大高宽比衍射光学元件的制作方法
	谢常青; 刘明; 朱效立; 史丽娜; 李海亮
	2014-03-26
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010544430.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种大高宽比衍射光学元件的制作方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光实现透射衍射光学元件的制作，在透射薄膜衬底面溅射电镀种子层，然后旋涂负性光刻胶，再次利用X射线曝光，并显影电镀刻蚀电镀种子层，进而形成大高宽比衍射光学元件。本发明利用电子束直写制备X射线光刻掩模，利用X射线进行两次曝光的方法，制备出高宽比可以达到10∶1衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠、易于批量制备且与传统的光刻工艺兼容的优点。
公开日期	2012-05-23
申请日期	2010-11-12
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12928]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,刘明,朱效立,等. 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法. CN201010544430.1. 2014-03-26.