Set statistics in conductive bridge random access memory device | |
Li Y(李阳); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Xu XX(许晓欣); Liu M(刘明); Wang GM(王国明); Long SB(龙世兵); Zhang MY(张美芸) | |
刊名 | Applied Physics Letters |
2014-11-10 | |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2015-04-14 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12498] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
通讯作者 | Long SB(龙世兵) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Y,Liu Q,Lv HB,et al. Set statistics in conductive bridge random access memory device[J]. Applied Physics Letters,2014. |
APA | Li Y.,Liu Q.,Lv HB.,Xu XX.,Liu M.,...&Zhang MY.(2014).Set statistics in conductive bridge random access memory device.Applied Physics Letters. |
MLA | Li Y,et al."Set statistics in conductive bridge random access memory device".Applied Physics Letters (2014). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论