一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法

	一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法
	刘明; 姜丹丹; 霍宗亮; 张满红; 刘璟; 谢常青
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110410001.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种对多位非挥发存储器进行编程的方法，涉及半导体存储器技术领域。该多值编程方法主要适用于p型沟道非挥发存储阵列，该方法在编程时，对器件同时进行FN(Fowler-Nordheim )隧穿和CHEI（Channel Hot-Electron Injection）编程操作，使其自收敛到特定的“00”“01”“10”“11”四种状态。利用本发明，省去了常规的反复查证操作过程，将器件直接编程到特性状态，大大提高器件编程速度的同时有效的解决了多值存储器发展过程中所遇到的精确控制多态阈值电压分布的挑战。
公开日期	2013-06-19
申请日期	2011-12-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10479]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,姜丹丹,霍宗亮,等. 一种多位非挥发存储单元及阵列的编程方法. CN201110410001.X.