一种平面浮栅闪存器件及其制备方法

	一种平面浮栅闪存器件及其制备方法
	刘明; 姜丹丹; 霍宗亮; 张满红; 刘璟; 谢常青
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110386765.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种高性能平面浮栅闪存器件结构及其实现方法，属于半导体存储器技术领域。该器件结构自下而上包括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源、漏导电区；隧穿介质层；浮栅存储层；阻塞介质层；控制栅。本发明在硅衬底上掺杂源、漏区时，分别进行P、 N两种类型掺杂。其中与衬底同类型一端称为源端，与衬底不同类型一端称为漏端。在栅压的控制下，P-N隧穿结形成于沟道与源端界面处，状态为开或关来决定器件沟道导通与否，这种结构对器件的短沟道效应具有极高的免疫性，更利于实现器件的可微缩化。同时这种结构还具有小静态泄露电流（Ioff）以及与常规CMOS工艺流兼容的优势。
公开日期	2013-06-05
申请日期	2011-11-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10461]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,姜丹丹,霍宗亮,等. 一种平面浮栅闪存器件及其制备方法. CN201110386765.X.