一种平面浮栅闪存器件及其制备方法 | |
刘明![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110386765.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种高性能平面浮栅闪存器件结构及其实现方法,属于半导体存储器技术领域。该器件结构自下而上包括:硅衬底;在硅衬底上重掺杂的源、漏导电区;隧穿介质层;浮栅存储层;阻塞介质层;控制栅。本发明在硅衬底上掺杂源、漏区时,分别进行P、 N两种类型掺杂。其中与衬底同类型一端称为源端,与衬底不同类型一端称为漏端。在栅压的控制下,P-N隧穿结形成于沟道与源端界面处,状态为开或关来决定器件沟道导通与否,这种结构对器件的短沟道效应具有极高的免疫性,更利于实现器件的可微缩化。同时这种结构还具有小静态泄露电流(Ioff)以及与常规CMOS工艺流兼容的优势。 |
公开日期 | 2013-06-05 |
申请日期 | 2011-11-29 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10461] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,姜丹丹,霍宗亮,等. 一种平面浮栅闪存器件及其制备方法. CN201110386765.X. |
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