阻变存储器及其制造方法

	阻变存储器及其制造方法
	刘明; 张康玮; 龙世兵; 谢常青; 刘琦; 吕杭炳
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110068633.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于两层不同导电类型的异质结结构的自整流阻变存储器，包括：上电极；下电极；以及包含在上电极和下电极之间的p型氧化物阻变功能材料和n型氧化物阻变功能材料，属于微电子制造和存储器技术领域。本发明的异质结阻变存储器由于自身的p-n结作用，在低阻态下可以实现整流特性，因此能够有效地抑制1R结构的无源交叉阵列中的串扰现象，并简化集成工艺、提高集成密度。本发明的异质结阻变存储器具有结构简单、易集成、成本低等优点，利于其推广与应用。
公开日期	2012-09-26
申请日期	2011-03-22
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10329]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,张康玮,龙世兵,等. 阻变存储器及其制造方法. CN201110068633.2.