存储器及其制作方法

	存储器及其制作方法
	胡媛; 刘明; 王琴; 郭婷婷
	2012-04-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910078245.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO₂材料介质/高k材料介质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、在纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或SiO₂材料控制栅介质层，和在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。同时公开了一种制作上述存储器的方法。利用本发明，综合改善了浮栅非易失存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，并且制作工艺简单，降低了制作成本。
公开日期	2009-07-29
申请日期	2009-02-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8444]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡媛,刘明,王琴,等. 存储器及其制作方法. CN200910078245.5. 2012-04-18.