存储器及其制作方法 | |
胡媛![]() ![]() ![]() | |
2012-04-18 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910078245.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器, 包括:硅衬底,在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区,在源、漏导电 区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO2材料介质/高k材料介 质组成的复合隧穿层,在复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、在纳米晶浮 栅层上覆盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层,和在控制栅介质层上覆 盖的栅材料层。同时公开了一种制作上述存储器的方法。利用本发明,综 合改善了浮栅非易失存储器的存储性能,提高了编程/擦除速度和耐受性、 数据保持特性,降低了编程/擦除电压和操作功耗,折衷了编程/擦除效率 和数据保持的矛盾,提高了集成度,并且制作工艺简单,降低了制作成本。 |
公开日期 | 2009-07-29 |
申请日期 | 2009-02-23 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8444] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡媛,刘明,王琴,等. 存储器及其制作方法. CN200910078245.5. 2012-04-18. |
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