驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法
刘明; 刘琦; 龙世兵; 张森
2014-03-26
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN200910077526.9
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种利用电容驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法。该电路由多个用以存储电能且具有不同容值的电容、多个电压源、一电阻转变型存储器和一开关转换电路构成,所述多个电容通过开关转换电路连接于所述多个电压源和所述电阻转变型存储器。该方法将不同容值的电容充电到相同的电压,或将相同电容充电到不同电压,使电容存储有不同的电能;然后利用该存储有不同电能的电容作为信号激励源驱动电阻转变型存储器,改变电阻转变型存储器的电阻状态,使电阻转变型存储器达到不同的电阻状态,实现多值存储。利用本发明,采用简单的电路驱动电阻转变型存储器实现多值存储,在相同的器件面积情况下实现更高密度的存储。

公开日期2010-07-21
申请日期2009-01-21
语种中文
内容类型专利
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8412]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘明,刘琦,龙世兵,等. 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法. CN200910077526.9. 2014-03-26.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace