双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 | |
柳江![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2011-06-15 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910077673.6 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种双层上电极有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜;步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料;步骤3、通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属电极;步骤4、再真空蒸镀一层有机半导体材料;步骤5、通过漏版用电子束蒸发蒸镀第二层金属电极,完成器件的制作。本发明提供的双层上电极有机场效应晶体管的制作方法,采用漏版蒸镀工艺,保证了生长的有机半导体薄膜的性能。而且,采用双层上电极结构,有效的减小了电极与沟道之间的距离,同时又保证了有源层的厚度。两层金属电极之间依靠金属粒子渗透进有机半导体材料而互连,从而不需要额外的互连工艺。 |
公开日期 | 2010-08-11 |
申请日期 | 2009-02-11 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8384] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳江,刘舸,刘明,等. 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法. CN200910077673.6. 2011-06-15. |
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