双层上电极有机场效应晶体管的制作方法

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	双层上电极有机场效应晶体管的制作方法
	柳江; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏
	2011-06-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910077673.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属电极；步骤4、再真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤5、通过漏版用电子束蒸发蒸镀第二层金属电极，完成器件的制作。本发明提供的双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，采用漏版蒸镀工艺，保证了生长的有机半导体薄膜的性能。而且，采用双层上电极结构，有效的减小了电极与沟道之间的距离，同时又保证了有源层的厚度。两层金属电极之间依靠金属粒子渗透进有机半导体材料而互连，从而不需要额外的互连工艺。
公开日期	2010-08-11
申请日期	2009-02-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8384]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	柳江,刘舸,刘明,等. 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法. CN200910077673.6. 2011-06-15.