浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法

	浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法
	刘明; 龙世兵; 王琴; 刘璟
	2012-03-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910077725.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上，淀积生长俘获层介质；在溅射过程中将其他靶材掩蔽，单独溅射某一种靶材，在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳米晶薄层；形成内嵌纳米晶薄层后，恢复原工艺条件继续生长俘获层材料；生长完毕，热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件走向实际应用打下基础。
公开日期	2010-08-18
申请日期	2009-02-13
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8376]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,龙世兵,王琴,等. 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法. CN200910077725.X. 2012-03-07.