浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 | |
刘明![]() ![]() ![]() ![]() | |
2012-03-07 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910077725.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法,该方法包括:采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上,淀积生长俘获层介质;在溅射过程中将其他靶材掩蔽,单独溅射某一种靶材,在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳米晶薄层;形成内嵌纳米晶薄层后,恢复原工艺条件继续生长俘获层材料;生长完毕,热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明,器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容,极大的简化工艺制程,降低制作成本,为器件走向实际应用打下基础。 |
公开日期 | 2010-08-18 |
申请日期 | 2009-02-13 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8376] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,龙世兵,王琴,等. 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法. CN200910077725.X. 2012-03-07. |
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