一种在线检测硅纳米晶形态的方法 | |
王永![]() ![]() ![]() ![]() | |
2012-04-11 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910078556.1 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法,包括:准备若干片硅片作为衬底,在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层;用稀释氢氟酸处理衬底表面,再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶;利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面,由于表面材料和形貌的不同,反射光强必然会发生变化,记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率,建立生长时间与反射率之间的关系式;将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析,确定不同生长时间纳米晶的形态,建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式;将纳米晶不同形态与反射率对应起来,建立相应的关系式,从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明,实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。 |
公开日期 | 2010-08-25 |
申请日期 | 2009-02-25 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8372] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永,杨潇楠,王琴,等. 一种在线检测硅纳米晶形态的方法. CN200910078556.1. 2012-04-11. |
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