一种在线检测硅纳米晶形态的方法

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	一种在线检测硅纳米晶形态的方法
	王永; 杨潇楠; 王琴; 刘明
	2012-04-11
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910078556.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应的关系式，从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明，实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。
公开日期	2010-08-25
申请日期	2009-02-25
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8372]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王永,杨潇楠,王琴,等. 一种在线检测硅纳米晶形态的方法. CN200910078556.1. 2012-04-11.