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	A low leakage current Tunneling-FET based on SOI
	Bu JH(卜建辉); Li DL(李多力); Xu GB(许高博); Cai XW(蔡小五); Kuang Y(匡勇); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
	2018-10-15
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19112]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Bu JH,Li DL,Xu GB,et al. A low leakage current Tunneling-FET based on SOI[C]. 见:.

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