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	Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method
	Ding Y(丁艳); Wang LX(王立新); Zhang YF(张彦飞); Liu MX(刘梦新)
	2018-10-31
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19109]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Ding Y,Wang LX,Zhang YF,et al. Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method[C]. 见:.

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