金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
韩郑生; 宋李梅; 胡飞
刊名半导体技术
2018-04-03
文献子类期刊论文
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18917]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
韩郑生,宋李梅,胡飞. 金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化[J]. 半导体技术,2018.
APA 韩郑生,宋李梅,&胡飞.(2018).金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化.半导体技术.
MLA 韩郑生,et al."金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化".半导体技术 (2018).
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace