Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes | |
Han ZS(韩郑生); Zheng ZS(郑中山); Li BH(李彬鸿); Cui Y(崔岩); Li B(李博); Wang L(王磊); Luo JJ(罗家俊) | |
刊名 | IEEE Transactions on Nuclear Science |
2018-10-01 | |
文献子类 | 期刊论文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18907] |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZS,Zheng ZS,Li BH,et al. Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2018. |
APA | Han ZS.,Zheng ZS.,Li BH.,Cui Y.,Li B.,...&Luo JJ.(2018).Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes.IEEE Transactions on Nuclear Science. |
MLA | Han ZS,et al."Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes".IEEE Transactions on Nuclear Science (2018). |
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