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	Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs
	Zheng ZS(郑中山); Huang YB(黄云波); Yang L(杨玲); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Yin HX(殷华湘); Zhu HP(朱慧平); Zhang QZ(张青竹); Li BH(李彬鸿); Li B(李博)
	2017-10-02
文献子类	会议期刊
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18253]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zheng ZS,Huang YB,Yang L,et al. Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs[C]. 见:.

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