后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 硅器件与集成研发中心

	后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响
	罗家俊; 毕津顺; 贾少旭; 韩郑生
刊名	太赫兹科学与电子信息学报
	2017-02-09
文献子类	期刊论文
英文摘要	基于Geant4 工具，进行高能粒子入射的蒙特卡洛仿真。介绍了仿真理论，以总反应截面和淀积电荷为参量，研究了后端金属互联工艺对于半导体集成电路单粒子翻转效应(SEE)的影响。实验结果表明，钨层的存在会对半导体器件的单粒子翻转效应有一定的增强作用。金属铝/铜与入射粒子的核反应作用效果相近，相交点对应的电荷淀积量在0.66 pC。大于此电荷量，铝的总反应截面大于铜；而小于此电荷量，则是铜的总反应截面大于铝。欧姆接触的阻挡层钛和氮化钛对单粒子翻转效应略有减缓作用。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18182]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗家俊,毕津顺,贾少旭,等. 后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响[J]. 太赫兹科学与电子信息学报,2017.
APA	罗家俊,毕津顺,贾少旭,&韩郑生.(2017).后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响.太赫兹科学与电子信息学报.
MLA	罗家俊,et al."后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响".太赫兹科学与电子信息学报 (2017).