基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究

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	基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究
	于猛; 韩郑生; 曾传滨; 闫薇薇; 李博; 高林春; 罗家俊
刊名	微电子学与计算机
	2017-08-01
文献子类	期刊论文
英文摘要	分析了一款基于０.３５μｍＰＤＳＯＩ工艺的锁相环（ＰＬＬ）电路的抗单粒子瞬变（ＳＥＴ）能力，利用相位抖动为表征参数评估ＳＥＴ对ＰＬＬ电路的影响与产生影响的可能性．电路级仿真采用优化过的ＳＥＴ注入模型，提高了仿真预测的准确程度．分析了ＰＬＬ电路的ＳＥＴ敏感节点与敏感工作状态，仿真与激光测试表明，分频器（ＤＩＶ）与输出低压正发射极耦合逻辑（ＬＶＰＥＣＬ）是最敏感的电路模块，其内部节点的敏感性与节点分布和电路工作状态关系密切．最恶劣情况下相位抖动可达输出周期的一半左右，分析结果有助于抗ＳＥＴ加固设计．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18036]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
通讯作者	韩郑生
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于猛,韩郑生,曾传滨,等. 基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究[J]. 微电子学与计算机,2017.
APA	于猛.,韩郑生.,曾传滨.,闫薇薇.,李博.,...&罗家俊.(2017).基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究.微电子学与计算机.
MLA	于猛,et al."基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究".微电子学与计算机 (2017).