静态随机存取存储器单元

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	静态随机存取存储器单元
	赵发展; 刘鑫; 刘梦新; 韩郑生
	2017-03-29
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410594490.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种静态随机存取存储器单元，包括：第一反相器，包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间有第一自稳电容；第二反相器，包含第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，在第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管之间有第二自稳电容；以及第一和第二读写控制单元，分别连接第一自稳电容和第二自稳电容的一端，其中第一自稳电容和第二自稳电容分别与第一和第二读写控制单元连接的一端还连接到不同类型的MOS晶体管。本发明能够有效抗辐射干扰，并有效减小了电路面积，节约了制造成本。
公开日期	2015-01-28
申请日期	2014-10-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17723]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵发展,刘鑫,刘梦新,等. 静态随机存取存储器单元. CN201410594490.2. 2017-03-29.