本实用新型属于抗辐射电路技术领域，公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，包括：至少两个相同的子模块；第i个子模块的端口为A_{i_1}、A_{i_2}、B_{i_1}、B_{i_2}、WL_i、BL_i与BLB_i；子模块中包括6个MOSFET，其中PMi_1漏极与NMi_1漏极连接部分构成存储节点i_1，PMi_2漏极与NMi_2漏极连接部分构成存储节点i_2。i_1与i_2存储数据的逻辑值相反；子模块之间的连接关系为A_{i_1}与B_{i‑1_2}连接，A_{i‑1_2}与B_{i_1}连接，A_{i_2}与B_{i+1_1}连接，A_{i+1_1}与B_{i_2}连接，BL_i‑1、BL_i、BL_i+1与BL连接，BLB_i‑1、BLB_i、BLB_i+1与BLB连接，WL_i‑1、WL_i、WL_i+1与WL连接，A_{1_1}与B_{n_2}连接，A_{n_2}与B_{1_2}连接。本实用新型提供了一种抗辐射能力强，抗SEU能力稳定，读写速度快得存储器。