一种异步SRAM的I/O接口电路 | |
刘梦新![]() ![]() ![]() | |
2016-08-24 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201310642655.4 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种异步SRAM的I/O接口电路,属于SRAM的数据读写技术领域。所述接口电路包括读取电路和写入电路;读取电路的输出端与写入电路的输入端连接;读取电路连接使能信号、数据信号和读取信号;写入电路连接写入信号。本发明的异步SRAM的I/O接口电路,通过使用使能信号和读取信号控制输出数据的操作,使用写入信号控制数据的写入操作,方便快速地实现了数据的读出或写入操作;通过在读取电路中引入正反馈,增强了电平信号的准确性;不存在电源VDD到地GND的通路,大大地降低了读出电路的功耗;通过使用读取信号控制晶体管的开启,加快了电路的响应速度。 |
公开日期 | 2014-03-19 |
申请日期 | 2013-12-03 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16445] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘梦新,赵发展,刘鑫,等. 一种异步SRAM的I/O接口电路. CN201310642655.4. 2016-08-24. |
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