一种异步SRAM的I/O接口电路

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	一种异步SRAM的I/O接口电路
	刘梦新; 赵发展; 刘鑫; 韩郑生
	2016-08-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310642655.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种异步SRAM的I/O接口电路，属于SRAM的数据读写技术领域。所述接口电路包括读取电路和写入电路；读取电路的输出端与写入电路的输入端连接；读取电路连接使能信号、数据信号和读取信号；写入电路连接写入信号。本发明的异步SRAM的I/O接口电路，通过使用使能信号和读取信号控制输出数据的操作，使用写入信号控制数据的写入操作，方便快速地实现了数据的读出或写入操作；通过在读取电路中引入正反馈，增强了电平信号的准确性；不存在电源VDD到地GND的通路，大大地降低了读出电路的功耗；通过使用读取信号控制晶体管的开启，加快了电路的响应速度。
公开日期	2014-03-19
申请日期	2013-12-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16445]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘梦新,赵发展,刘鑫,等. 一种异步SRAM的I/O接口电路. CN201310642655.4. 2016-08-24.