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	Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space
	Han ZS(韩郑生); Zhang G(张刚); Gao JT(高见头); Zhao FZ(赵发展); Li B(李博); Liu HN(刘海南); Ceng CB(曾传滨); Liu T(刘涛); Qi FT(岂飞涛)
	2016-06-18
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16329]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Han ZS,Zhang G,Gao JT,et al. Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space[C]. 见:.

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