A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI | |
Luo JJ(罗家俊); Bu JH(卜建辉); Li Y(李莹); Han ZS(韩郑生) | |
2016-10-28 | |
文献子类 | 会议论文 |
语种 | 英语 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16326] |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo JJ,Bu JH,Li Y,et al. A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI[C]. 见:. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论