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	Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate
	Wang LX(王立新); Han ZS(韩郑生); Zhang GH(张国欢); Li BH(李彬鸿); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Liu HN(刘海南); Lu J(陆江)
	2016-09-12
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16322]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang LX,Han ZS,Zhang GH,et al. Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate[C]. 见:.

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