一种SOI_MOSFET的热阻提取方法

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	一种SOI_MOSFET的热阻提取方法
	李莹; 毕津顺; 李书振; 罗家俊; 韩郑生; 卜建辉
	2016-03-23
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310339890.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。
公开日期	2013-11-27
申请日期	2013-08-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15503]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李莹,毕津顺,李书振,等. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN201310339890.4. 2016-03-23.