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	IGBT版图
	朱阳军; 左小珍; 赵佳; 卢烁今
	2011-06-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
国家	中国
文献子类	实用新型
英文摘要	本实用新型实施例公开了一种IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。
公开日期	2016-04-07
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14657]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	朱阳军,左小珍,赵佳,等. IGBT版图. 2011-06-27.

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