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	IGBT器件及其制作方法
	卢烁今; 吴振兴; 朱阳军; 孙宝刚
	2011-06-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在本体层表面内形成一浅沟槽；在浅沟槽下方的阱区表面内形成掺杂区，掺杂区的横向宽度未深入到栅区下方的沟道区，且掺杂区的掺杂浓度大于阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成高掺杂浓度的浅结，并且减小了掺杂区与源区的接触面积，从而降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。
公开日期	2016-04-07
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14653]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	卢烁今,吴振兴,朱阳军,等. IGBT器件及其制作方法. 2011-06-27.

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