QQ客服 官方微博 反馈留言

	沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
	赵佳; 朱阳军; 卢烁今; 孙宝刚; 左小珍
	2011-06-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。
公开日期	2016-04-06
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14645]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	赵佳,朱阳军,卢烁今,等. 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法. 2011-06-21.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。