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	绝缘栅双极晶体管及其制作方法
	赵佳; 卢烁今; 朱阳军; 孙宝刚
	2011-06-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括：提供第一导电类型的衬底，所述衬底第一表面上具有栅介质层和栅极；从第一表面在部分栅极下以及栅极侧面的衬底中形成第二导电类型的轻掺杂基区；在栅极之外的轻掺杂基区上形成第一沟槽，通过原位掺杂在所述第一沟槽中形成第二导电类型的重掺杂基区；在靠近栅极侧壁的重掺杂基区上形成第一导电类型的发射区；在栅极侧壁及栅极上形成栅介质层，以及覆盖发射区和重掺杂基区形成发射极。通过刻蚀加原位掺杂的方法，形成不同深度下掺杂浓度相同的重掺杂基区，消除闩锁现象。
公开日期	2016-04-06
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14639]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	赵佳,卢烁今,朱阳军,等. 绝缘栅双极晶体管及其制作方法. 2011-06-22.

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