PDSOI ESD防护用SCR结构研究

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 硅器件与集成研发中心

	PDSOI ESD防护用SCR结构研究
	曾传滨; 韩郑生; 罗家俊; 姜一波; 毕津顺
	2011-11-18
英文摘要	本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI） SCR 结构ESD特性。提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESDIV特性和抗闩锁性能。这种结构通过采用VSTI层减薄沟道区厚度，可以很容易获得维持电压连续可调的ESD防护用SCR器件，配合串联二极管的方法，能提供各种维持电压需求ESD防护用的SCR结构。
会议录	第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13478]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曾传滨,韩郑生,罗家俊,等. PDSOI ESD防护用SCR结构研究[C]. 见:.