深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究

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	深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究
	卜建辉; 毕津顺; 吕荫学; 韩郑生
	2011-11-01
英文摘要	基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载溜子退化越严重。以饱和电流退化10%为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法。
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13460]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卜建辉,毕津顺,吕荫学,等. 深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究[C]. 见:.