一种IGBT的版图布局
赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽; 左小珍
2012-11-23
著作权人中国科学院微电子研究所,上海联星电子有限公司,江苏中科君芯科技有限公司
专利号ZL201320121908.9
国家中国
文献子类实用新型
英文摘要 本实用新型公开了一种IGBT的版图,属于大功率半导体器件技术领域。该版图包括有源区、Gatebus、终端区、栅PAD、源PAD和Gatefinger,有源区由并联的元胞构成,在有源区的外围有一周Gatebus,在Gatebus的外围一周有终端区,有源区内部有栅PAD,栅PAD位于IGBT的芯片中央、多个源PAD由Gatefinger间隔分布。本实用新型不仅保证了芯片各处传导的栅压基本均等,使电流分布均匀,器件参数一致性良好。同时,还大大减弱了电流集中产生的热集中现象,提高了器件可靠性,适用于大电流芯片及更便于封装。
公开日期2015-05-26
状态公开
内容类型专利
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/13094]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵佳,朱阳军,陆江,等. 一种IGBT的版图布局. ZL201320121908.9. 2012-11-23.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace