一种IGBT缓冲吸收电路

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	一种IGBT缓冲吸收电路
	黎奇; 朱阳军; 卢烁今; 胡少伟
	2013-11-26
著作权人	上海联星电子有限公司
专利号	CN203590070U
国家	中国
文献子类	实用新型
英文摘要	本实用新型公开了一种IGBT缓冲吸收电路，属于晶体管技术领域。该缓冲吸收电路包括IGBT开关、电阻、电容、二极管和压敏电阻；其中，电容与二极管串联，与压敏电阻并联，在与电容串联，形成部件后，最后与IGBT开关并联。本实用新型通过压敏电阻，其阻值在纳秒级速度迅速减小，在很短时间内电容充电吸收尖峰电压，能很好的保护IGBT管。一个周期内缓冲电阻消耗功率为P=V2/4R，比一般RCD型吸收电路损耗更小。
公开日期	2015-05-26
申请日期	2013-11-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13092]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黎奇,朱阳军,卢烁今,等. 一种IGBT缓冲吸收电路. CN203590070U. 2013-11-26.