| 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法 | |
| 卜建辉 | |
| 2010-08-12 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | 201010251985.7 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种SOI?NMOS总剂量辐照建模方法，属于提参建模技术领域。所述方法包括：获取SOI?NMOS辐照前模型参数，并在模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI?NMOS总剂量辐照模型；获取SOINMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。通过本发明的建模方法，使得总剂量辐照模型更加全面可靠；另外，本发明还实现了对新加模型参数提取的自动化，使得复杂的提参建模变得更加简单和高效。 |
| 公开日期 | 2015-05-12 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12888]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卜建辉. 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法. 201010251985.7. 2010-08-12. |
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