| 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法 | |
| 高超群; 景玉鹏; 王磊; 惠瑜 | |
| 2009-12-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11667]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高超群,景玉鹏,王磊,等. 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法. 2009-12-30. |
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