| 低电压CMOS带隙基准电压源 | |
| 袁国顺; 范涛 | |
| 2009-07-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS带隙基准电压源包括：低电压放大器，用于在低电源电压下实现负反馈；一阶温度补偿产生电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行一阶温度补偿的电流项；高阶温度补偿产生电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行高阶温度补偿的电流项；输出电压产生电路，用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工作CMOS带隙基准电压源，将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中，然后比例求和并输出参考电压，从而保证了整个电路工作在很低的电源电压条件下。 |
| 公开日期 | 2016-03-31 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14595]  |
| 专题 | 微电子研究所_北京中科微电子 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁国顺,范涛. 低电压CMOS带隙基准电压源. 2009-07-28. |
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