采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法1

	采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法1
	陈大鹏; 石莎莉; 叶甜春; 谢常青; 欧毅
	2008-06-25
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200510011989.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其工艺步骤如：1.在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；3.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，将倒梯形窗口处的SiN_X薄膜刻蚀到硅衬底为止，去胶；4.腐蚀硅衬底，形成倒梯形腐蚀坑及突点；5.表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；6.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜孔，去铬，清洗处理表面；7.表面淀积氮化硅薄膜；8.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；9.腐蚀释放二氧化硅薄膜牺牲层；10.表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽。
公开日期	2006-12-27
申请日期	2005-06-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9008]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,石莎莉,叶甜春,等. 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法1. CN200510011989.7. 2008-06-25.