采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法1 | |
陈大鹏![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2008-06-25 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200510011989.7 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法,其工艺步骤如:1.在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜;2.表面淀积铬薄膜,光刻,去铬,刻蚀部分深度氮化硅薄膜,形成倒梯形窗口;3.表面淀积铬薄膜,光刻,去铬,将倒梯形窗口处的SiNX薄膜刻蚀到硅衬底为止,去胶;4.腐蚀硅衬底,形成倒梯形腐蚀坑及突点;5.表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层;6.光刻,打底胶,表面淀积铬薄膜,剥离,刻蚀二氧化硅薄膜孔,去铬,清洗处理表面;7.表面淀积氮化硅薄膜;8.表面淀积铬薄膜,光刻,去铬,刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽;9.腐蚀释放二氧化硅薄膜牺牲层;10.表面淀积氮化硅薄膜,密封腐蚀槽。 |
公开日期 | 2006-12-27 |
申请日期 | 2005-06-23 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9008] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈大鹏,石莎莉,叶甜春,等. 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法1. CN200510011989.7. 2008-06-25. |
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