半导体芯片焊料凸点加工方法 | |
王文泉 | |
2000-11-28 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN1355555 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 一种半导体芯片焊料凸点加工方法,包括如下步骤:步骤1:球下金属化层;步骤2:介质膜的淀积与刻蚀;步骤3:电镀工艺:a、电镀铜微型凸点或称厚铜:采用光亮硫酸盐镀液配方,镀铜厚度5-10μm;b、电镀铅锡合金凸点:采用光亮铅锡合金电镀配方以及材料,二元系铅锡合金一次电镀完成;步骤4:回流工艺:采用回流峰值温度高于焊料熔点10-50℃,并采用中性助焊剂。 |
公开日期 | 2002-06-26 ; 2010-11-26 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8318] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文泉. 半导体芯片焊料凸点加工方法. CN1355555. 2000-11-28. |
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