| 半导体芯片焊料凸点加工方法 | |
| 王文泉 | |
| 2000-11-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN1355555 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种半导体芯片焊料凸点加工方法，包括如下步骤：步骤1：球下金属化层；步骤2：介质膜的淀积与刻蚀；步骤3：电镀工艺：a、电镀铜微型凸点或称厚铜：采用光亮硫酸盐镀液配方，镀铜厚度5－10μm；b、电镀铅锡合金凸点：采用光亮铅锡合金电镀配方以及材料，二元系铅锡合金一次电镀完成；步骤4：回流工艺：采用回流峰值温度高于焊料熔点10－50℃，并采用中性助焊剂。 |
| 公开日期 | 2002-06-26 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8318]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文泉. 半导体芯片焊料凸点加工方法. CN1355555. 2000-11-28. |
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