基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法

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	基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法
	殴毅; 叶甜春; 石莎莉; 陈大鹏; 景玉鹏; 董立军
	2009-01-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200610066888.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列，其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似契型硅柱上，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步骤如下：1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，表面淀积铬薄膜，剥离；3、刻蚀氮化硅薄膜，去铬，清洗处理表面；4、在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金；5、继续在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在反光板上形成薄的镀金；6、正面腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
公开日期	2007-10-03
申请日期	2006-03-31
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8158]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殴毅,叶甜春,石莎莉,等. 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法. CN200610066888.4. 2009-01-14.