一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法

	一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法
	龙世兵; 叶甜春; 王琴; 王丛舜; 刘明
	2010-04-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200610083996.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及量子信息技术领域，特别是一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法。在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利用纳米尺度的双端固支梁作为敏感组件，再用射频单电子晶体管作为传感组件，形成快速超灵敏位移传感器。充分利用射频单电子晶体管的高灵敏度的特性(电荷灵敏度可达10-5eHz-1/2)，形成快速超灵敏位移传感器。这种基于SOI衬底材料的快速超灵敏位移传感器具有极高的位移灵敏度，可达10-5nm，同时也具有很高的工作频率，可达几百MHz。这种快速超灵敏位移传感器可为量子测量提供一种有效的解决方法，可为量子信息技术的发展作出贡献。
公开日期	2007-12-19
申请日期	2006-06-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8112]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	龙世兵,叶甜春,王琴,等. 一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法. CN200610083996.2. 2010-04-07.