微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法

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	微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法
	董立军; 韩劲东; 欧毅; 陈大鹏; 孙雨南; 崔芳; 刘辉
	2010-04-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710064865.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制备微电子机械系统光学解复用器芯片的方法，包括：在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜；光刻第一版上电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到上电极图形；光刻第二版上电极图形；将氮化硅薄膜刻透；在第一片硅衬底的背面第三版光刻出背面的腐蚀窗口图形；在腐蚀窗口图形上涂光学光刻胶，将背面氮化硅薄膜刻透；将第一片硅衬底置于氢氧化钾溶液进行腐蚀，去除上反射镜下的多余部分的硅衬底；在第二片硅衬底上光刻第四版下电极图形；蒸发铬/金薄膜，超声剥离后得到下电极图形；将第一片和第二片硅衬底进行对准键和，划片并焊接引线。利用本发明，降低了制备成本，使微电子机械系统光学解复用器芯片得以广泛推广和应用。
公开日期	2008-10-01
申请日期	2007-03-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8024]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	董立军,韩劲东,欧毅,等. 微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法. CN200710064865.4. 2010-04-14.