微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法 | |
董立军![]() ![]() ![]() ![]() | |
2010-04-14 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200710064865.4 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制备微电子机械系统光学解复用器芯片的方法,包 括:在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜;光刻第一版上电极图 形;蒸发铬/金薄膜,超声剥离后得到上电极图形;光刻第二版上电极图形; 将氮化硅薄膜刻透;在第一片硅衬底的背面第三版光刻出背面的腐蚀窗口 图形;在腐蚀窗口图形上涂光学光刻胶,将背面氮化硅薄膜刻透;将第一 片硅衬底置于氢氧化钾溶液进行腐蚀,去除上反射镜下的多余部分的硅衬 底;在第二片硅衬底上光刻第四版下电极图形;蒸发铬/金薄膜,超声剥离 后得到下电极图形;将第一片和第二片硅衬底进行对准键和,划片并焊接 引线。利用本发明,降低了制备成本,使微电子机械系统光学解复用器芯 片得以广泛推广和应用。 |
公开日期 | 2008-10-01 |
申请日期 | 2007-03-28 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8024] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 董立军,韩劲东,欧毅,等. 微电子机械系统光学解复用器芯片的制备方法. CN200710064865.4. 2010-04-14. |
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