一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法

	一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法
	贾锐; 叶甜春; 王琴; 李维龙; 刘明
	2010-06-09
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710064857.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d) 光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g) 蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。
公开日期	2008-10-01
申请日期	2007-03-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7998]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贾锐,叶甜春,王琴,等. 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法. CN200710064857.X. 2010-06-09.