一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 | |
贾锐![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200710121365.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及微纳米加工技术领域,公开了一种制备射频单电子晶体管 位移传感器的方法,包括:对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火; 在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂,采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形 成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核 心组件结构;利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅,将电子抗蚀剂 中的图形转移到表层硅上;涂敷光学抗蚀剂、光刻,定义各个电极的位置; 沉积金属电极材料;剥离金属、合金,形成欧姆接触的电极;二次电子束 套准曝光,使得双端固支梁的部分露出窗口;腐蚀牺牲层,使得双端固支 梁悬空。利用本发明,具有工艺步骤少、简单、可靠、能与传统CMOS 工艺兼容的优点。 |
公开日期 | 2009-03-11 |
申请日期 | 2007-09-05 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7932] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾锐,王从舜,陈宝钦,等. 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法. CN200710121365.X. |
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