一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法

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	一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法
	贾锐; 王从舜; 陈宝钦; 王琴; 叶甜春; 龙世兵; 刘明; 李维龙
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710121365.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法，包括：对SOI衬底的顶层硅进行离子注入及快速退火；在SOI衬底上涂敷双层电子束抗蚀剂，采用电子束光刻在电子抗蚀剂中形成由源、漏、库仑岛、隧道结、侧栅以及双端固支梁构成的位移传感器核心组件结构；利用电子抗蚀剂掩蔽刻蚀SOI衬底的顶层硅，将电子抗蚀剂中的图形转移到表层硅上；涂敷光学抗蚀剂、光刻，定义各个电极的位置；沉积金属电极材料；剥离金属、合金，形成欧姆接触的电极；二次电子束套准曝光，使得双端固支梁的部分露出窗口；腐蚀牺牲层，使得双端固支梁悬空。利用本发明，具有工艺步骤少、简单、可靠、能与传统CMOS 工艺兼容的优点。
公开日期	2009-03-11
申请日期	2007-09-05
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7932]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贾锐,王从舜,陈宝钦,等. 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法. CN200710121365.X.