基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 | |
欧毅![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2010-09-08 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200710177795.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件,由氮化 硅薄膜隔离端1、附着有低功函数金属的微尖端2和布有金属导线的布线 凹槽3构成。其中,隔离端1用于在器件工作时避免微尖端与被加工材料 接触,控制微尖端与被加工材料表面的距离;微尖端2用于根据尖端放电 的原理,当在焊盘与所要加工的材料之间加上一微小电压时,尖端处产生 很强的电场,造成大量电子穿透势垒逸出;布线凹槽3用于附着或容纳作 为导线的金属,作为线路通道实现对各个微尖端的控制。本发明同时公开 了基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明,实 现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储,解决了单探针工作效率 低的问题。 |
公开日期 | 2009-05-27 |
申请日期 | 2007-11-21 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7754] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧毅,傅剑宇,陈大鹏,等. 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法. CN200710177795.3. 2010-09-08. |
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