改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法 | |
李超波![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2011-05-11 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200710178317.4 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整 度的方法,包括:在硅衬底正面涂光学光刻胶,光刻曝光出反光板加 强筋图形;刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形;在硅衬底双面生长氮 化硅;在硅衬底背面涂光学光刻胶,光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形; 刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅;在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折 梁图形,蒸发金属铬层并超声剥离;刻蚀硅衬底正面的氮化硅;去除 作为掩蔽层的金属铬,得到反光板和回折梁图形;在硅衬底正面套刻 反光板图形,在曝光显影后蒸发铬/金,超声剥离;在硅衬底正面套刻 回折梁图形,在曝光显影后蒸发铬/金,超声剥离;去除反光板和回折 梁下方的硅衬底,释放结构。本发明提高了最终的红外成像效果。 |
公开日期 | 2009-06-03 |
申请日期 | 2007-11-28 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7730] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李超波,欧毅,史海涛,等. 改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法. CN200710178317.4. 2011-05-11. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论