改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 回溯数据库（1992-2008年）

	改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法
	李超波; 欧毅; 史海涛; 陈大鹏; 焦斌斌; 景玉鹏
	2011-05-11
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710178317.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法，包括：在硅衬底正面涂光学光刻胶，光刻曝光出反光板加强筋图形；刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形；在硅衬底双面生长氮化硅；在硅衬底背面涂光学光刻胶，光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形；刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折梁图形，蒸发金属铬层并超声剥离；刻蚀硅衬底正面的氮化硅；去除作为掩蔽层的金属铬，得到反光板和回折梁图形；在硅衬底正面套刻反光板图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；在硅衬底正面套刻回折梁图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；去除反光板和回折梁下方的硅衬底，释放结构。本发明提高了最终的红外成像效果。
公开日期	2009-06-03
申请日期	2007-11-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7730]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李超波,欧毅,史海涛,等. 改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法. CN200710178317.4. 2011-05-11.